功率 - 最大值 | 1.41W |
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 2865pF @ 12V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 5 毫欧 @ 30A,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 12.7A(Ta),95A(Tc) |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 11.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
安装类型 | 表面贴装 |
数据手册: |
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