FDMS3668S
  • 量产中
产品描述:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8-PQFN
标准包装:3000
数据手册:
ECAD模型:
  • 规格参数
  • 产品特性
  • 技术文档
  • 产品评论
安装类型 表面贴装
FET 类型 2 N 沟道(双)非对称型
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 29nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A,18A
漏源极电压(Vdss) 30V
封装/外壳 8-TDFN 裸露焊盘
FET 功能 逻辑电平门
供应商器件封装 8-PQFN
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 8 毫欧 @ 13A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1765pF @ 15V
功率 - 最大值 1W
数据手册:
登录之后就可发表评论