MBD110DWT1G
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产品描述:
Dual Schottky Barrier Diodes
标准包装:1
数据手册: --
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封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 SC-88/SC70-6/SOT-363
功率耗散(最大值) 120mW
二极管类型 肖特基 - 2 个独立式
电压 - 峰值反向(最大值) 7V
不同 Vr,F 时的电容 1pF @ 0V,1MHz
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