SI3590DV-T1-E3
SI3590DV-T1-E3
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产品描述:
Dual N / P -Channel 30 V 0.077/0.17 Ohm Surface Mount Power MosFet - TSOP-6
标准包装:1
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安装类型 表面贴装
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 4.5nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A,1.7A
功率 - 最大值 830mW
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
FET 功能 逻辑电平门
供应商器件封装 6-TSOP
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 77 毫欧 @ 3A,4.5V
漏源极电压(Vdss) 30V
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供应商编码:SP1036

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2025-01-27
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