IRFD110PBF
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产品描述：
Single N-Channel 60 V 0.54 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
标准包装：1
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安装类型 通孔
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 8.3nC @ 10V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）
漏源极电压（Vdss） 100V
封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）
FET 功能 标准
供应商器件封装 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 540 毫欧 @ 600mA，10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 180pF @ 25V
功率 - 最大值 1.3W
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