| MMBT3906WT1G | ||
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| 产品描述：
MMBT Series 40 V 200 mA SMT PNP Silicon General Purpose Transistor - SOT-323
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： -- | ||
| ECAD模型:
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- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 表面贴装 |
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| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 功率 - 最大值 | 150mW |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 200mA |
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
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