SI4532CDY-T1-GE3
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产品描述：
N / P-Ch 30 V 6 A 38/73 mOhm SMT (D - S) Mosfet - SOIC-8
标准包装：2500
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安装类型 表面贴装
FET 类型 N 和 P 沟道
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 9nC @ 10V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A，4.3A
漏源极电压（Vdss） 30V
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
FET 功能 标准
供应商器件封装 8-SO
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 47 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 305pF @ 15V
功率 - 最大值 2.78W
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