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| 产品描述：
Single N-Channel 75 V 4.1 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
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| 标准包装：1 | ||
| 数据手册： | ||
| ECAD模型:
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- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 安装类型 | 通孔 |
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| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 170nC @ 10V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 120A（Tc） |
| 漏源极电压（Vdss） | 75V |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 4.1 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 6920pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 300W |
| 数据手册： |
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