DTC123JM3T5G
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产品描述:
Digital Transistors (BRT)
标准包装:1
数据手册: --
ECAD模型:
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不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
供应商器件封装 SOT-723
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 47k
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
安装类型 表面贴装
功率 - 最大值 260mW
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 1mA,10mA
晶体管类型 NPN - 预偏压
封装/外壳 SOT-723
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
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