ECH8653-TL-H
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产品描述:
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
标准包装:1
数据手册: --
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安装类型 表面贴装
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
供应商器件封装 8-ECH
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 4A,8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1280pF @ 10V
功率 - 最大值 1.5W
封装/外壳 8-SMD,扁平引线
FET 功能 逻辑电平门
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 18.5nC @ 8V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.5A
漏源极电压(Vdss) 20V
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