STW34NM60ND
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产品描述:
Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 18A; 190W; TO247
标准包装:1
数据手册: --
ECAD模型:
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安装类型 通孔
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 80.4nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 29A(Tc)
漏源极电压(Vdss) 600V
封装/外壳 TO-247-3
FET 功能 标准
供应商器件封装 TO-247
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 110 毫欧 @ 14.5A,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 2785pF @ 50V
功率 - 最大值 210W
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