电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
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封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 250mV @ 500µA,10mA |
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) | 22k |
功率 - 最大值 | 125mW |
安装类型 | 表面贴装 |
电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) | 47k |
供应商器件封装 | SSMini6-F3-B |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |