安装类型 | 表面贴装 |
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FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 18.3A(Tc) |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 60 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1710pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2.3W |