安装类型 | 表面贴装 |
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FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 5V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 7.5A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 18 毫欧 @ 7.5A,10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1235pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 900mW |
数据手册: |
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