| NTB52N10T4G | ||
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| 产品描述：
MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
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| 标准包装：800 | ||
| 数据手册： -- | ||
| ECAD模型:
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- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 功率 - 最大值 | 2W |
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| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 3150pF @ 25V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 30 毫欧 @ 26A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| FET 功能 | 标准 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 漏源极电压（Vdss） | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 52A（Tc） |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 135nC @ 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
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