| MJD31T4G | ||
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| 产品描述：
MJD Series 40 V 3 A NPN Complementary Power Transistor - TO-252-3
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| 标准包装：2500 | ||
| 数据手册： -- | ||
| ECAD模型:
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- 规格参数
- 产品特性
- 技术文档
- 产品评论
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 50µA |
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| 频率 - 跃迁 | 3MHz |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 3A |
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 1.2V @ 375mA，3A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 10 @ 3A，4V |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率 - 最大值 | 1.56W |
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