IRFS4229TRLPBF
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产品描述:
Single N-Channel 250 V 48 mOhm 72 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
标准包装:800
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功率 - 最大值 330W
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 4560pF @ 25V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 48 毫欧 @ 26A,10V
供应商器件封装 D2PAK
FET 功能 标准
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
漏源极电压(Vdss) 250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 45A(Tc)
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 110nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
安装类型 表面贴装
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