PBSS4032SPN,115

SOIC 8/30 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor/12NC:934063417115

制造商 NXP Semiconductors 制造商零件编号 PBSS4032SPN,115 标准包装 1000 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 PBSS4032SPN,115.pdf

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产品参数

-电流 - 集电极截止（最大值）	100nA
-频率 - 跃迁	140MHz，115MHz
-电流 - 集电极（Ic）（最大值）	5.7A，4.8A
-不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	450mV @ 300mA，6A / 510mV @ 250mA，5A
-电压 - 集射极击穿（最大值）	30V
-不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	250 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V
-安装类型	表面贴装
-封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
-晶体管类型	NPN，PNP
-供应商器件封装	8-SO
-功率 - 最大值	2.3W