PMGD290XN,115

PMGD290XN Series 20 V 350 mO 0.41 W 0.72 nC Dual N-Channel TrenchMOS - SOT-363

制造商 NXP Semiconductors 制造商零件编号 PMGD290XN,115 标准包装 1 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 PMGD290XN,115.pdf

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产品参数

-安装类型	表面贴装
-FET 类型	2 个 N 沟道（双）
-不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA
-不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	0.72nC @ 4.5V
-电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	860mA
-漏源极电压（Vdss）	20V
-封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
-FET 功能	逻辑电平门
-供应商器件封装	6-TSSOP
-不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	350 毫欧 @ 200mA，4.5V
-不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	34pF @ 20V
-功率 - 最大值	410mW