PMBFJ112,215

JFET N-CH 40V 0.3W SOT23

制造商 NXP Semiconductors 制造商零件编号 PMBFJ112,215 标准包装 3000 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 PMBFJ112,215.pdf

询价

需求数量		目标价格
联系电话		姓名
公司		邮箱

产品参数

-安装类型	表面贴装
-封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
-电压 - 击穿（V（BR）GSS）	40V
-供应商器件封装	SOT-23（TO-236AB）
-不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	6pF @ 10V（VGS）
-功率 - 最大值	300mW
-不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）	5mA @ 15V
-FET 类型	N 沟道
-不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）	5V @ 1µA
-电阻 - RDS（开）	50 欧姆
-漏源极电压（Vdss）	40V