J177,126

JFET P-CH 30V 400MW TO92-3

制造商 NXP Semiconductors 制造商零件编号 J177,126 标准包装 2000 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 --

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产品参数

-Package / Case	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
-Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)	30V
-Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
-Standard Package	2,000
-Resistance - RDS(On)	300 Ohm
-FET Type	P-Channel
-Mounting Type	Through Hole
-Power - Max	400mW
-Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)	1.5mA @ 15V
-Supplier Device Package	TO-92
-Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id	800mV @ 10nA
-Packaging	Tape & Box (TB)
-Family	JFETs (Junction Field Effect)
-Input Capacitance (Ciss) @ Vds	8pF @ 10V (VGS)