AON3816

20V,4A,Common-Drain Dual N-Channel MOSFET

制造商 Alpha and Omega Semiconductor, Inc. 制造商零件编号 AON3816 标准包装 1 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 --

询价

需求数量		目标价格
联系电话		姓名
公司		邮箱

产品参数

-安装类型	表面贴装
-FET 类型	2 N 沟道（双）共漏
-不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 250µA
-不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	13nC @ 4.5V
-不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	1100pF @ 10V
-功率 - 最大值	2.5W
-封装/外壳	8-SMD，扁平引线
-FET 功能	逻辑电平门
-供应商器件封装	8-DFN（2.9x2.3）
-不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	22 毫欧 @ 4A，4.5V
-漏源极电压（Vdss）	20V