CSD16325Q5C

MOSFET N-CH 25V 100A 8SON

制造商 Texas Instruments 制造商零件编号 CSD16325Q5C 标准包装 1900 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 CSD16325Q5C.pdf

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产品参数

-安装类型	表面贴装
-FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
-不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.4V @ 250µA
-不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	25nC @ 4.5V
-电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	33A（Ta），100A（Tc）
-漏源极电压（Vdss）	25V
-封装/外壳	8-TDFN 裸露焊盘
-FET 功能	逻辑电平门
-供应商器件封装	8-SON-EP（5x6）
-不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	2 毫欧 @ 30A，8V
-不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	4000pF @ 12.5V
-功率 - 最大值	3.1W