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STE70NM60

N-Channel 600 V 70 A 55 mOhm MDmesh™Power Mosfet - ISOTOP

制造商 STMicroelectronics
制造商零件编号 STE70NM60
标准包装 1
ECCN --
Schedule B --
RoHS --
规格说明书 STE70NM60.pdf

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产品参数

-安装类型 底座安装
-FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
-不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
-不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 266nC @ 10V
-电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 70A
-漏源极电压(Vdss) 600V
-封装/外壳 ISOTOP
-FET 功能 标准
-供应商器件封装 ISOTOP®
-不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 55 毫欧 @ 30A,10V
-不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 7300pF @ 25V
-功率 - 最大值 600W

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