CEP6106

1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

制造商 CET-MOS 制造商零件编号 CEP6106 标准包装 1 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 CEP6106.pdf

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产品参数

-FET Type	1 N-Channel
-Drain to Source Voltage (Vdss)	57V
-Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V
-Pd	131W
-Supplier Device Package	TO-220
-Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 29A,1.8V
-Thermal Resistance @ Natural	1.14℃/W
-Configuration	Single