CEU01N6G

1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

制造商 CET-MOS 制造商零件编号 CEU01N6G 标准包装 1 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 CEU01N6G.pdf

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产品参数

-FET Type	1 N-Channel
-Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
-Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.2nC @ 10V
-Pd	35.7W
-Supplier Device Package	TO-252
-Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 9A,10V
-Thermal Resistance @ Natural	3.5℃/W
-Configuration	Single