CEU2015

1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

制造商 CET-MOS 制造商零件编号 CEU2015 标准包装 2500 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 CEU2015.pdf

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产品参数

-SDP	TO-252
-Supplier Device Package	TO-252
-Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 2.2A,10V
-Thermal Resistance @ Natural	1.3℃/W
-Configuration	Single
-FET Type	1 N-Channel
-Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
-Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
-Pd	96.2W