STGWT80H65DFB

HB Series 650 V 120 A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-3P

制造商 STMicroelectronics 制造商零件编号 STGWT80H65DFB 标准包装 1 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 --

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产品参数

-封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
-Test Condition	400V，80A，10 欧姆，15V
-反向恢复时间（trr）	85ns
-输入类型	标准
-25°C 时 Td（开/关）值	84ns/280ns
-Gate Charge	414nC
-Switching Energy	2.1mJ（开），1.5mJ（关）
-不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）	2V @ 15V，80A
-电流 - 集电极（Ic）（最大值）	120A
-供应商器件封装	TO-3P
-功率 - 最大值	469W
-安装类型	通孔
-Current - Collector Pulsed（Icm）	240A
-IGBT 类型	沟道和场截止
-电压 - 集射极击穿（最大值）	650V