EM6K6T2R

MOSFET Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W

制造商 ROHM Semiconductor 制造商零件编号 EM6K6T2R 标准包装 1 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 EM6K6T2R.pdf EM6K6T2R.pdf EM6K6T2R.pdf

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产品参数

-封装/外壳	SOT-563，SOT-666
-工作温度	150°C（TJ）
-功率 - 最大值	150mW
-不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	1 欧姆 @ 300mA，4V
-漏源极电压（Vdss）	20V
-安装类型	表面贴装
-不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	25pF @ 10V
-不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 1mA
-电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	300mA
-供应商器件封装	EMT6