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STD11NM60N-1

MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK

制造商 STMicroelectronics
制造商零件编号 STD11NM60N-1
标准包装 75
ECCN --
Schedule B --
RoHS --
规格说明书 --

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产品参数

-FET Feature Standard
-Package / Case TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
-Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
-Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
-Gate Charge (Qg) @ Vgs 31nC @ 10V
-FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
-Family FETs - Single
-Mounting Type Through Hole
-Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 5A, 10V
-Power - Max 90W
-Supplier Device Package I-Pak
-Standard Package   75
-Packaging   Tube  
-Series MDmesh™ II
-Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
-Input Capacitance (Ciss) @ Vds 850pF @ 50V

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