SI4914DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC

制造商 Vishay 制造商零件编号 SI4914DY-T1-E3 标准包装 1 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 SI4914DY-T1-E3.pdf

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产品参数

-FET Feature	Logic Level Gate
-Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
-Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
-Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.5A, 5.7A
-Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.5nC @ 4.5V
-FET Type	2 N-Channel (Half Bridge)
-Family	FETs - Arrays
-Mounting Type	Surface Mount
-Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 7A, 10V
-Power - Max	1.1W, 1.16W
-Supplier Device Package	8-SO
-Standard Package	1
-Packaging	Digi-Reel®
-Series	LITTLE FOOT®
-Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA