SI1972DH-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6

制造商 Vishay 制造商零件编号 SI1972DH-T1-GE3 标准包装 3000 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 --

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产品参数

-FET Feature	Standard
-Package / Case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
-Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
-Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.3A
-Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.8nC @ 10V
-FET Type	2 N-Channel (Dual)
-Family	FETs - Arrays
-Mounting Type	Surface Mount
-Rds On (Max) @ Id, Vgs	225 mOhm @ 1.3A, 10V
-Power - Max	1.25W
-Supplier Device Package	SC-70-6 (SOT-363)
-Standard Package	1
-Packaging	Cut Tape (CT)
-Series	TrenchFET®
-Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
-Input Capacitance (Ciss) @ Vds	75pF @ 15V