IRF640S

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

制造商 Vishay 制造商零件编号 IRF640S 标准包装 1 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 --

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产品参数

-FET Feature	Standard
-Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
-Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Tc)
-Gate Charge (Qg) @ Vgs	70nC @ 10V
-FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
-Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
-Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
-Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
-Power - Max	130W
-Supplier Device Package	D2PAK
-Standard Package	50
-Packaging	Tube
-Family	FETs - Single
-Mounting Type	Surface Mount