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EPC8009ENGR

TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE

制造商 Efficient Power Conversion
制造商零件编号 EPC8009ENGR
标准包装 10
ECCN --
Schedule B --
RoHS --
规格说明书 EPC8009ENGR.pdf

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产品参数

-FET Feature Logic Level Gate
-Rds On (Max) @ Id, Vgs 138 mOhm @ 500mA, 5V
-Drain to Source Voltage (Vdss) 65V
-Supplier Device Package Die
-Standard Package   10
-FET Type GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
-Family FETs - Single
-Mounting Type Surface Mount
-Mfg Application Notes Assembling eGaN® FETS Die Attach Procedure Die Removal Procedure
-Package / Case Die
-For Use With 917-1070-ND - EVAL BOARD GAN ZVS CLASS D AMP
-Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Ta)
-Packaging   Tray  
-Series eGaN®
-Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
-Input Capacitance (Ciss) @ Vds 47pF @ 32.5V

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