DMN100-7

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

制造商 Diodes Incorporated 制造商零件编号 DMN100-7 标准包装 1 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 --

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产品参数

-FET Feature	Standard
-Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
-Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.1A (Ta)
-Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.5nC @ 10V
-FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
-Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
-Input Capacitance (Ciss) @ Vds	150pF @ 10V
-Rds On (Max) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 1A, 10V
-Power - Max	500mW
-Supplier Device Package	SC-59-3
-Standard Package	1
-Packaging	Cut Tape (CT)
-Family	FETs - Single
-Mounting Type	Surface Mount