BSD223P H6327

MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

制造商 Infineon Technologies 制造商零件编号 BSD223P H6327 标准包装 1 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 --

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产品参数

-FET Feature	Logic Level Gate
-Package / Case	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
-Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
-Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	390mA
-Gate Charge (Qg) @ Vgs	0.62nC @ 4.5V
-FET Type	2 P-Channel (Dual)
-Family	FETs - Arrays
-Mounting Type	Surface Mount
-Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V
-Power - Max	250mW
-Supplier Device Package	PG-SOT363-6
-Standard Package	3,000
-Packaging	Tape & Reel (TR)
-Series	OptiMOS™
-Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 1.5µA
-Input Capacitance (Ciss) @ Vds	56pF @ 15V