SI1917EDH-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6

制造商 Vishay 制造商零件编号 SI1917EDH-T1-E3 标准包装 100 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 --

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产品参数

-安装类型	表面贴装
-FET 类型	2 个 P 沟道（双）
-不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	450mV @ 100µA（最小）
-不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	2nC @ 4.5V
-电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1A
-功率 - 最大值	570mW
-封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
-FET 功能	逻辑电平门
-供应商器件封装	SC-70-6（SOT-363）
-不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	370 毫欧 @ 1A，4.5V
-漏源极电压（Vdss）	12V