STGP10H60DF

H Series 600 V 20 A Through Hole Silicon IGBT - TO-220-3

制造商 STMicroelectronics 制造商零件编号 STGP10H60DF 标准包装 1 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 --

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产品参数

-封装/外壳	TO-220-3
-Test Condition	400V，10A，10 欧姆，15V
-反向恢复时间（trr）	107ns
-输入类型	标准
-25°C 时 Td（开/关）值	19.5ns/103ns
-Gate Charge	57nC
-Switching Energy	83µJ（开），140µJ（关）
-不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）	1.95V @ 15V，10A
-电流 - 集电极（Ic）（最大值）	20A
-供应商器件封装	TO-220
-功率 - 最大值	115W
-安装类型	通孔
-Current - Collector Pulsed（Icm）	40A
-IGBT 类型	沟道和场截止
-电压 - 集射极击穿（最大值）	600V