CSD85312Q3E

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

制造商 Texas Instruments 制造商零件编号 CSD85312Q3E 标准包装 2500 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 CSD85312Q3E.pdf

SP1027库存 美元价格 $1.00952 人民币价格 ￥6.86281 库存类型 SP1027 库存数量 4000 阶梯价格 数量 价格 576+ $1.00952 1000+ $0.93093 10000+ $0.83003 100000+ $0.69533

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产品参数

-安装类型	表面贴装
-FET 类型	2 N 沟道（双）共源
-不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.4V @ 250µA
-不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	15.2nC @ 4.5V
-电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	39A
-漏源极电压（Vdss）	20V
-封装/外壳	8-VDFN 裸露焊盘
-FET 功能	逻辑电平栅极，5V 驱动
-供应商器件封装	8-SON（3.3x3.3）
-不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	12.4 mOhm @ 10A，8V
-不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	2390pF @ 10V
-功率 - 最大值	2.5W