ZXMHC3F381N8TC

Dual N & P Channel 30 V 33 mOhm H-Bridge Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8

制造商 Diodes Incorporated 制造商零件编号 ZXMHC3F381N8TC 标准包装 1 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 ZXMHC3F381N8TC.pdf

SP1038库存 美元价格 $0.71566 人民币价格 ￥5.94402 库存类型 SP1038 库存数量 5 阶梯价格 数量 价格 1+ $0.71566 SP1036库存 美元价格 $0.46523 人民币价格 ￥3.86404 库存类型 SP1036 库存数量 507 阶梯价格 数量 价格 1+ $0.46523 100+ $0.38865 1250+ $0.35253 2500+ $0.32653

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产品参数

-安装类型	表面贴装
-FET 类型	2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
-不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
-不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	9nC @ 10V
-电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	3.98A，3.36A
-漏源极电压（Vdss）	30V
-封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
-FET 功能	逻辑电平门
-供应商器件封装	8-SOP
-不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	33 毫欧 @ 5A，10V
-不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	430pF @ 15V
-功率 - 最大值	870mW