CSD86360Q5D

MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON

制造商 Texas Instruments 制造商零件编号 CSD86360Q5D 标准包装 2500 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 CSD86360Q5D.pdf

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产品参数

-安装类型	表面贴装
-FET 类型	2 个 N 通道（半桥）
-不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 250µA
-不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	12.6nC @ 4.5V
-不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	2060pF @ 12.5
-功率 - 最大值	13W
-封装/外壳	8-LDFN 裸露焊盘
-FET 功能	逻辑电平门
-供应商器件封装	8-SON（5x6）
-电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	50A
-漏源极电压（Vdss）	25V