2SK3666-4-TB-E

JFET N-CH 30V 10MA 200MW CP

制造商 onsemi 制造商零件编号 2SK3666-4-TB-E 标准包装 6000 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 --

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产品参数

-Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)	30V
-Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
-Current Drain (Id) - Max	10mA
-Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id	180mV @ 1µA
-Packaging	Tape & Reel (TR)
-Family	JFETs (Junction Field Effect)
-Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4pF @ 10V
-Power - Max	200mW
-Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)	2.5mA @ 10V
-Supplier Device Package	3-CP
-Standard Package	3,000
-Resistance - RDS(On)	200 Ohm
-FET Type	N-Channel
-Mounting Type	Surface Mount