2SK2845(TE16L1,Q)

MOSFET N-CH 900V 1A DP

制造商 Toshiba 制造商零件编号 2SK2845(TE16L1,Q) 标准包装 2000 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 --

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产品参数

-FET Feature	Standard
-Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
-Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1A (Ta)
-Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 10V
-FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
-Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
-Input Capacitance (Ciss) @ Vds	350pF @ 25V
-Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 Ohm @ 500mA, 10V
-Power - Max	40W
-Supplier Device Package	DP
-Standard Package	2,000
-Packaging	Tape & Reel (TR)
-Family	FETs - Single
-Mounting Type	Surface Mount