2SK2399(TE16L1,NQ)

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; 20W; DPAK

制造商 Toshiba 制造商零件编号 2SK2399(TE16L1,NQ) 标准包装 1 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 --

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产品参数

-FET Feature	Logic Level Gate
-Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
-Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Ta)
-Gate Charge (Qg) @ Vgs	22nC @ 10V
-FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
-Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
-Input Capacitance (Ciss) @ Vds	500pF @ 10V
-Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 2.5A, 10V
-Power - Max	20W
-Supplier Device Package	PW-MOLD
-Standard Package	2,000
-Packaging	Tape & Reel (TR)
-Family	FETs - Single
-Mounting Type	Surface Mount