2SK2382(Q)

MOSFET N-CH 200V 15A TO220NIS

制造商 Toshiba 制造商零件编号 2SK2382(Q) 标准包装 50 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 --

询价

需求数量		目标价格
联系电话		姓名
公司		邮箱

产品参数

-FET Feature	Logic Level Gate
-Package / Case	TO-220-3 Full Pack
-Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
-Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	15A (Ta)
-Gate Charge (Qg) @ Vgs	40nC @ 10V
-FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
-Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
-Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2000pF @ 10V
-Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 10A, 10V
-Power - Max	45W
-Supplier Device Package	TO-220NIS
-Standard Package	50
-Packaging	Bulk
-Family	FETs - Single
-Mounting Type	Through Hole