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| 需求数量 | 目标价格 | ||
| 联系电话 | 姓名 | ||
| 公司 | 邮箱 | ||
| -安装类型 | 底座安装 |
| -FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| -不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| -不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 338nC @ 10V |
| -电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 140A |
| -漏源极电压(Vdss) | 200V |
| -封装/外壳 | ISOTOP |
| -FET 功能 | 标准 |
| -供应商器件封装 | ISOTOP® |
| -不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 12 毫欧 @ 70A,10V |
| -不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 11100pF @ 25V |
| -功率 - 最大值 | 500W |
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