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| 需求数量 | 目标价格 | ||
| 联系电话 | 姓名 | ||
| 公司 | 邮箱 | ||
| -安装类型 | 通孔 |
| -FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| -不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
| -不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 62nC @ 10V |
| -电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 100A(Tc) |
| -漏源极电压(Vdss) | 40V |
| -封装/外壳 | TO-220-3 |
| -FET 功能 | 逻辑电平门 |
| -供应商器件封装 | TO-220-3 |
| -不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 2.9 毫欧 @ 100A,10V |
| -不同 Vds 时的输入电容(Ciss) | 4680pF @ 20V |
| -功率 - 最大值 | 216W |
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