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| 姓名 | 地址 | ||
| 邮箱 | 电话 | ||
| 库存 | 数量 | ||
| 需求数量 | 目标价格 | ||
| 联系电话 | 姓名 | ||
| 公司 | 邮箱 | ||
| -安装类型 | 表面贴装 |
| -FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| -不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| -不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) | 5.45nC @ 10V |
| -电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 1.17A |
| -功率 - 最大值 | 840mW |
| -封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| -FET 功能 | 逻辑电平门 |
| -供应商器件封装 | 8-SOIC |
| -不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 180 毫欧 @ 1.5A,10V |
| -漏源极电压(Vdss) | 15V |
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