PBSS4350SSJ

PBSS4350SS Series 50V 2.7 A NPN/NPN LowVCEsat (BISS) Transistor - SOIC-8

制造商 NXP Semiconductors 制造商零件编号 PBSS4350SSJ 标准包装 2500 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 --

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产品参数

-电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
-封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
-晶体管类型	2 NPN（双）
-供应商器件封装	8-SO
-功率 - 最大值	750mW
-安装类型	表面贴装
-电流 - 集电极（Ic）（最大值）	2.7A
-不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	340mV @ 270mA，2.7A
-电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
-不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	300 @ 1A，2V