TPC8120(TE12L,Q,M)

MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP

制造商 Toshiba 制造商零件编号 TPC8120(TE12L,Q,M) 标准包装 3000 ECCN -- Schedule B -- RoHS -- 规格说明书 --

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产品参数

-FET Feature	Logic Level Gate
-Package / Case	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
-Supplier Device Package	8-SOP (5.5x6.0)
-Standard Package	3,000
-Packaging	Tape & Reel (TR)
-Family	FETs - Single
-Mounting Type	Surface Mount
-Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 9A, 10V
-Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
-Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Ta)
-Gate Charge (Qg) @ Vgs	180nC @ 10V
-FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
-Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
-Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7420pF @ 10V